总投资超100亿元！奕斯伟武汉硅材料基地项目主体结构全面封顶
5月24日，奕斯伟武汉硅材料基地项目主体结构全面封顶。
奕斯伟武汉硅材料基地项目效果图
该项目位于光谷科学岛，建筑面积约19万平方米，总投资超100亿元，是台湾a片 半导体硅材料领域重点标杆工程，将进一步助力区域构建“芯片设计、晶圆制造、配套材料”协同发展的完整半导体产业生态。
封顶仪式上，公司有关负责人透露，项目正加快推进机电安装、设备调试等各项筹备工作，将于今年四季度实现首批设备搬入，2027年上半年实现首批产能投产，预计2030年达产。相关产品可广泛应用于高性能存储芯片、先进逻辑芯片、高端图像传感器等主流芯片领域，匹配快速发展的市场需求，进一步提升我国高端半导体硅片的供应能力。
项目现场封顶图
相关附件:
扫一扫在手机上查看当前页面
已阅 1265
点赞 68
鄂公网安备 42010602004343号
